強電磁技術(shù)全國重點實驗室重點圍繞超高參數(shù)電磁能轉(zhuǎn)化技術(shù)與裝備、超強磁場精準(zhǔn)構(gòu)建技術(shù)與裝備和復(fù)雜電磁暫態(tài)調(diào)控技術(shù)與裝備開展應(yīng)用基礎(chǔ)研究、前沿技術(shù)探索和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，打造強電磁技術(shù)領(lǐng)域的國家級創(chuàng)新研究基地和人才培養(yǎng)基地。

為進一步落實國家創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略，充分發(fā)揮實驗室作為強電磁技術(shù)領(lǐng)域國家公共研究平臺的作用，匯聚本領(lǐng)域高水平研究力量構(gòu)建高效的協(xié)同創(chuàng)新體系，實驗室面向全國高等院校、科研院所和行業(yè)企業(yè)的研究人員發(fā)布2026年開放課題申請指南。

每項指南計劃經(jīng)費3~5萬元，研究周期1年。指南類型包括交叉攻堅、聯(lián)合創(chuàng)優(yōu)、協(xié)同育才、菁英儲備四類：

1.交叉攻堅類課題聚焦強電磁技術(shù)領(lǐng)域多學(xué)科交叉前沿問題，借助外部優(yōu)勢平臺資源開展關(guān)鍵技術(shù)協(xié)同攻關(guān)，資助額度為5萬元/項；

2.聯(lián)合創(chuàng)優(yōu)類課題旨在深化產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，推動高水平成果聯(lián)合孵化與轉(zhuǎn)化應(yīng)用，資助額度為3萬元/項；

3.協(xié)同育才類課題發(fā)揮全國重點實驗室科研引領(lǐng)作用，面向重點院校及行業(yè)領(lǐng)軍機構(gòu)聯(lián)合培養(yǎng)青年科研骨干，促進跨單位人才梯隊共建，資助額度為3萬元/項；

4.菁英儲備類課題支持海內(nèi)外強電磁技術(shù)領(lǐng)域優(yōu)秀青年學(xué)者開展探索性研究，建立高層次人才蓄水池，資助額度為3萬元/項。

一、指南內(nèi)容

1.復(fù)雜電磁暫態(tài)調(diào)控技術(shù)與裝備（11項）

（1）模型驅(qū)動和數(shù)據(jù)驅(qū)動融合的電力系統(tǒng)暫態(tài)穩(wěn)定性分析（交叉攻堅類）：研究模型驅(qū)動和數(shù)據(jù)驅(qū)動的融合方法，建立融合模型，并將其應(yīng)用于電力系統(tǒng)暫態(tài)穩(wěn)定性評估中，分析應(yīng)用的效果。

（2）輸電等級真空斷路器高精度時點導(dǎo)控理論與技術(shù)體系研究（交叉攻堅類）：研究輸電等級真空斷路器靜力學(xué)、運動學(xué)和動力學(xué)特性，探究運動系統(tǒng)高精度時點導(dǎo)控的理論與方法體系，提出微秒級運動學(xué)精度的新一代操動系統(tǒng)。

（3）新型梯度高熵骨架增強銅基合金的制備及其電弧侵蝕特性研究（交叉攻堅類）：制備具有梯度結(jié)構(gòu)的高熵骨架增強銅基合金，研究梯度骨架對合金電弧侵蝕性能的影響，構(gòu)建多物理場耦合作用下的動力學(xué)侵蝕模型，揭示三維互穿骨架的梯度參量對電弧侵蝕特性的調(diào)控機制。

（4）引發(fā)并網(wǎng)電力電子設(shè)備安全運行風(fēng)險的故障區(qū)域識別（交叉攻堅類）：分析電網(wǎng)故障對新能源場站、直流換流站等電力電子設(shè)備并網(wǎng)安全的差異化影響，研究保障電力電子設(shè)備運行安全的電網(wǎng)故障區(qū)域快速識別方法。

（5）超大短路電流擊穿過程分析方法（聯(lián)合創(chuàng)優(yōu)類）：研究開斷超大短路電流工況下的熱動力學(xué)演變規(guī)律，揭示觸頭材料于開斷過程中的作用關(guān)系，構(gòu)建電接觸性能表征與超大短路電流電弧動態(tài)模型。

（6）高滲透率可再生能源區(qū)域配電網(wǎng)下分布式氫儲能與電化學(xué)儲能多尺度動態(tài)響應(yīng)特性（聯(lián)合創(chuàng)優(yōu)類）：研究數(shù)據(jù)與機理融合的分布式氫儲能與電化學(xué)儲能運行特性；研究時空多維屬性的分布式氫儲能與電化學(xué)儲能動態(tài)響應(yīng)特性研究技術(shù)和市場復(fù)雜場景下分布式氫儲能與電化學(xué)儲能多模態(tài)“能量轉(zhuǎn)換-存儲耦合”交互方法。

（7）異構(gòu)新能源變流系統(tǒng)寬頻振蕩抑制方法研究（聯(lián)合創(chuàng)優(yōu)類）：構(gòu)建異構(gòu)新能源變流系統(tǒng)對外等效阻抗模型，分析系統(tǒng)寬頻振蕩耦合特性及其動態(tài)傳播規(guī)律，提出異構(gòu)新能源變流器振蕩協(xié)同抑制技術(shù)。

（8）SF6替代環(huán)保氣體分解特性及性能衰減研究（協(xié)同育才類）：針對SF6斷路器環(huán)保壓力大的問題，聚焦替代環(huán)保氣體，模擬復(fù)雜工況，結(jié)合化學(xué)動力學(xué)模型與實驗診斷，解析分解產(chǎn)物演化及累積效應(yīng)，揭示多次開斷下分解機制與絕緣性能衰減規(guī)律。

（9）核反應(yīng)堆棒控電源雙機并列系統(tǒng)失磁故障機理與保護方法研究（協(xié)同育才類）：探究核反應(yīng)堆棒控電源系統(tǒng)雙發(fā)電機組電磁耦合關(guān)系；分析發(fā)電機失磁故障特征及健全機組過流產(chǎn)生機理；提出發(fā)電機過流保護新原理與雙機保護協(xié)調(diào)策略。

（10）計及直流側(cè)動態(tài)耦合的構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)電并網(wǎng)系統(tǒng)穩(wěn)定性分析（協(xié)同育才類）：研究計及直流側(cè)耦合作用的構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機特性表征建模方法，分析交互作用對構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機并網(wǎng)自穩(wěn)性及系統(tǒng)致穩(wěn)性的影響，提出多模式致穩(wěn)控制策略。

（11）面向?qū)捊麕щ娏﹄娮悠骷母哳l脈沖電流信號非侵入式傳感機理研究（協(xié)同育才類）：研究寬禁帶電力電子器件的高工作結(jié)溫以及開關(guān)瞬態(tài)過程中的電磁騷擾特性對高頻電流信號測量回路敏感參數(shù)的影響機理，建立多物理場耦合影響下寬頻脈沖電流信號非侵入式傳感模型。

2.超高參數(shù)電磁能轉(zhuǎn)化技術(shù)與裝備（12項）

（1）SiC功率器件多芯片動態(tài)均流方法與應(yīng)用（交叉攻堅類）：建立SiC功率器件寄生參數(shù)網(wǎng)絡(luò)模型，分析封裝寄生參數(shù)對動態(tài)均流性能的影響規(guī)律，提出SiC功率模塊的封裝基板布局布線方法，減小換流回路雜散電感并提升動態(tài)均流特性。

（2）超構(gòu)材料賦能的質(zhì)子束流無損精準(zhǔn)診斷方法研究（交叉攻堅類）：研究在諧振腔中嵌入超構(gòu)材料以探究其特殊電磁效應(yīng)，通過結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化實現(xiàn)局部電磁波特性的自由定制與增強。構(gòu)建束流與腔內(nèi)電磁場相互作用的響應(yīng)模型，揭示束流參數(shù)與電磁響應(yīng)之間的內(nèi)在關(guān)聯(lián)與表征機制。

（3）大模型支撐的高壓量測設(shè)備傳感網(wǎng)絡(luò)測量不確定度傳遞方法研究（交叉攻堅類）：建立在運高壓量測設(shè)備電磁暫態(tài)演化機理與多模態(tài)數(shù)據(jù)增強的專用大模型代理輔助優(yōu)化框架，研究復(fù)雜電磁噪聲干擾下的量測設(shè)備傳感網(wǎng)絡(luò)測量不確定度評估與最優(yōu)校準(zhǔn)路徑規(guī)劃方法。

（4）大容量SiC功率器件低熱阻封裝底部結(jié)構(gòu)研究（交叉攻堅類）：研究綜合考慮熱阻、流體壓降以及熱均勻性的SiC器件散熱底板結(jié)構(gòu)優(yōu)化方法，制備優(yōu)化底板結(jié)構(gòu)并實現(xiàn)其與SiC器件的低熱阻封裝集成。

（5）基于非重疊繞組的交流勵磁發(fā)電機優(yōu)化設(shè)計與激振力特性研究（交叉攻堅類）：建立非重疊繞組交流勵磁電機的精確解析模型，研究多工況下整機結(jié)構(gòu)參數(shù)多目標(biāo)優(yōu)化技術(shù)，揭示非重疊繞組電機的激振力特性并提出諧波抑制措施。

（6）基于里德堡技術(shù)的阿秒電子脈沖精準(zhǔn)診斷（交叉攻堅類）：研究fC量級相對論阿秒電子脈沖的太赫茲輻射機制，解析其輻射場特征與電子束時空特性關(guān)系；構(gòu)建基于里德堡原子的極弱場探測參數(shù)模型，闡明測量參數(shù)間的關(guān)聯(lián)機制，實現(xiàn)高維電磁特征的電子脈沖逆向重構(gòu)。

（7）基于電子束引發(fā)的常溫、超快速固化功能涂層技術(shù)研究（交叉攻堅類）：研究預(yù)聚物在電子束固化下性能演化規(guī)律，研究電子束固化工藝對涂層附著力、耐久性及功能性影響機理，研究具備疏水性及憎水遷移性能功能涂層，實現(xiàn)硅橡膠修復(fù)或功能化改造。

（8）面向極端電磁裝備多場耦合狀態(tài)感知的光測量新方法研究（菁英儲備類）：研究強電磁暫態(tài)、超強磁場及高參數(shù)電能裝備內(nèi)部多物理場對光纖傳感信號的耦合作用機理，揭示極端電磁環(huán)境下溫度、磁場等多參量的協(xié)同感知與解耦機制，構(gòu)建適用于復(fù)雜電磁裝備狀態(tài)精準(zhǔn)診斷的光纖測量新原理與系統(tǒng)模型。

（9）大型交流勵磁發(fā)電-電動機協(xié)調(diào)控制（協(xié)同育才類）：建立大型交流勵磁發(fā)電-電動機穩(wěn)態(tài)、瞬態(tài)與諧波分析統(tǒng)一數(shù)學(xué)模型；揭示不同繞組結(jié)構(gòu)普適性氣隙磁勢分布機理；明晰轉(zhuǎn)子變頻器輸出電流諧波對電機運行特性的影響，提出功率、轉(zhuǎn)速、諧波抑制等多目標(biāo)解耦協(xié)調(diào)控制方法。

（10）高安全寬溫域聚合物固態(tài)鋰電池開發(fā)（協(xié)同育才類）：開發(fā)兼容性好和離子電導(dǎo)率高的電解質(zhì)，解析不同溫度下體系中各物種的運動與輸運規(guī)律，揭示高/低溫下的電池性能衰減與失效機制，提供固態(tài)電池失效預(yù)警與防護的理論依據(jù)。

（11）基于第一性原理的SiC異質(zhì)異構(gòu)界面的傳熱機制研究（協(xié)同育才類）：構(gòu)建SiC異質(zhì)異構(gòu)界面?zhèn)鳠崮Ｐ停芯拷缑婢Ц袷洹⒒瘜W(xué)鍵合、缺陷態(tài)等對聲子態(tài)密度和界面熱導(dǎo)的影響規(guī)律，揭示高功率密度下SiC器件界面熱輸運機理及調(diào)控方法。

（12）基于電-熱-力多場耦合測試的高可靠性陶瓷電容器能優(yōu)化研究（協(xié)同育才類）：研究電-熱-力多場耦合作用下陶瓷電容器的穩(wěn)定性演化規(guī)律與失效機理；研究陶瓷介質(zhì)材料微結(jié)構(gòu)特征與電-熱-力性能的對應(yīng)關(guān)系；研究高可靠陶瓷電容器的性能優(yōu)化設(shè)計方法。

3.超強磁場精準(zhǔn)構(gòu)建技術(shù)與裝備（3項）

（1）基于三維磁場線圈技術(shù)的托卡馬克破裂緩解研究（交叉攻堅類）：研究破裂階段三維磁擾動線圈實現(xiàn)等離子體不穩(wěn)定性控制和高能逃逸電子緩解的工作機理，結(jié)合仿真模擬和合成診斷，研究控制線圈電流應(yīng)力和結(jié)構(gòu)負載等工程挑戰(zhàn)。

（2）缺陷容錯型高溫超導(dǎo)磁體導(dǎo)體（交叉攻堅類）：圍繞大口徑磁體需求，探索高電流復(fù)合導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)計；通過增強帶材間的分流能力提高缺陷容錯性，降低局部失超引發(fā)Quench的風(fēng)險；優(yōu)化導(dǎo)體制備工藝參數(shù)，兼顧缺陷容錯能力與交流損耗控制。

（3）三維螺旋磁場調(diào)控磁流體不穩(wěn)定性實驗（協(xié)同育才類）：基于裝置三維螺旋磁場調(diào)控磁流體不穩(wěn)定性實驗，開展大規(guī)模數(shù)值模擬，揭示三維磁場對磁流體不穩(wěn)定性影響的物理機制，為國產(chǎn)聚變堆中磁流體不穩(wěn)定性控制提供參考依據(jù)。

二、申報要求

1.申請人應(yīng)為申報項目的實際負責(zé)人，一般應(yīng)具有博士學(xué)位或高級職稱。

2.每位申請人每年申請課題不超過1項，且同時承擔(dān)課題不超過1項。已獲批過實驗室開放課題的人員，若課題未結(jié)題，不能申請新課題；若課題已結(jié)題，須詳細說明已結(jié)題課題的主要研究成果、后續(xù)研究進展以及與新課題的關(guān)系。

3.申請人提交的課題申請書須符合指南規(guī)定的研究方向，且學(xué)術(shù)思想新穎，立論根據(jù)充分，研究目標(biāo)明確，研究內(nèi)容具體，技術(shù)路線可行，經(jīng)費預(yù)算合理，課題執(zhí)行期內(nèi)預(yù)期可達成研究目標(biāo)。為鼓勵合作研究，申請人在申請開放課題時須有1名實驗室固定人員作為合作聯(lián)系人。

4.申請人須對申請材料的真實性負責(zé)。提供虛假申請材料的申請人，一經(jīng)發(fā)現(xiàn)取消當(dāng)年及以后申請實驗室開放課題的資格。

5.申請人需要按照課題申報書模板要求填寫并提交相關(guān)材料，包括：

電子版文檔1套，包括：課題申請書word版本、課題申請書PDF版本(PDF版本包含簽字蓋章頁掃描件，封面和最后一頁簽批頁共兩處需加蓋單位公章，可以是二級單位公章)。電子文檔按照“課題名稱-開放課題申請書-單位名稱-申請人姓名-日期”命名。

三、申請受理

1．受理截止時間為2025年12月20日24:00。

2．申請書材料請發(fā)送至實驗室郵箱aeet@hust.edu.cn，僅受理公開級材料。

四、評審過程

采用會議或書面通訊評議的方式，由實驗室學(xué)術(shù)委員會部分委員、管理團隊成員、研究團隊PI組成評審組進行評審。根據(jù)擇優(yōu)資助原則，確定擬批準(zhǔn)資助的課題申請，提請實驗室學(xué)術(shù)委員會審議通過后公示生效。

五、聯(lián)系方式

聯(lián)系人：蒙麗，027-87543128，15072344016（微信同號）。

附件：AET開放課題申報書模板（2026年）（下載鏈接：https://pan.baidu.com/s/194-s-MYyHGHBnTuhZpSumA?pwd=2026提取碼:2026）